[发明专利]沟槽场效应晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201210230387.0 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102738008A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 场效应 晶体管 制作方法 | ||
1.一种沟槽场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在一半导体衬底中形成沟槽；
在沟槽内壁和半导体衬底上表面沉积二氧化硅，并用包括N2O的气体进行退火，去除半导体衬底上表面的二氧化硅以在沟槽内形成栅氧；
在半导体衬底上表面和栅氧表面上沉积多晶硅，去除半导体衬底上表面的多晶硅以在沟槽内形成栅极；
对所述沟槽两侧的半导体衬底进行离子注入，形成源区。
2.根据权利要求1所述的沟槽场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述N2O退火过程中的退火温度为900℃-1150℃，退火时间为15min-60min。
3.根据权利要求1所述的沟槽场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底包括第一电导率型本体及其下方的第二电导率型漏区，所述沟槽形成于所述第一导电率本体中。
4.根据权利要求3所述的沟槽场效应晶体管的制作方法，其特征在于，提供所述半导体衬底的步骤包括：
提供一体硅衬底；
对所述体硅衬底进行第一电导率型离子注入和第二电导率型离子注入以形成第一电导率型本体及其下方的第二电导率型漏区。
5.根据权利要求4所述的沟槽场效应晶体管的制作方法，其特征在于，对所述体硅衬底进行第一电导率型离子注入和第二电导率型离子注入时，对所述体硅衬底的上表面进行第一电导率型离子注入以形成第一电导率型本体，对所述体硅衬底的下表面进行第二电导率型离子注入以形成第二电导率型漏区。
6.根据权利要求4所述的沟槽场效应晶体管的制作方法，其特征在于，对所述体硅衬底进行第一电导率型离子注入和第二电导率型离子注入时，从所述体硅衬底的上表面进行，且所述第一电导率型离子注入的深度小于所述第二电导率型离子注入的深度。
7.根据权利要求3所述的沟槽场效应晶体管的制作方法，其特征在于，提供所述半导体衬底的步骤包括：
提供一基底；
采用第二电导率型离子在所述基底层上外延生长第二电导率型漏区；
采用第一电导率型离子在所述第二电导率型漏区上外延生长第一电导率型本体。
8.根据权利要求1所述的沟槽场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述源区为第二电导率型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
