[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201210228691.1 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102738007A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 高涛;宁策;于航;张方振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法，涉及液晶面板制造领域，能够使源/漏极和栅极之间对位精确。所述薄膜晶体管的制造方法包括：在透明基板上形成栅极；在形成有所述栅极的基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作透明的半导体薄膜，并通过构图工艺形成半导体层，且保留位于所述半导体层上方的光刻胶；从所述透明基板一侧，以所述栅极为掩膜对保留的光刻胶进行曝光处理，在显影后形成与所述栅极相应的沟道位光刻胶；在带有所述沟道位光刻胶的基板上制作源漏金属薄膜，并剥离所述沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜，再通过构图工艺形成源极、漏极。本发明实施例用于制造包含有薄膜晶体管的产品或器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制造 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在透明基板上形成栅极；在形成有所述栅极的基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上制作透明的半导体薄膜，并通过构图工艺形成半导体层，且保留位于所述半导体层上方的光刻胶；从所述透明基板一侧，以所述栅极为掩膜对保留的光刻胶进行曝光处理，在显影后形成与所述栅极相应的沟道位光刻胶；在带有所述沟道位光刻胶的基板上制作源漏金属薄膜，并剥离所述沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜，再通过构图工艺形成源极、漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210228691.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：便携终端及其缝隙天线
- 下一篇：时间测量系统及时间测量方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
