[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在透明基板上形成栅极；

在形成有所述栅极的基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上制作透明的半导体薄膜，并通过构图工艺形成半导体层，且保留位于所述半导体层上方的光刻胶；

从所述透明基板一侧，以所述栅极为掩膜对保留的光刻胶进行曝光处理，在显影后形成与所述栅极相应的沟道位光刻胶；

在带有所述沟道位光刻胶的基板上制作源漏金属薄膜，并剥离所述沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜，再通过构图工艺形成源极、漏极。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述制作透明的半导体薄膜之后，且在所述通过构图工艺形成半导体层之前，还包括：在所述半导体薄膜上制作掺杂半导体薄膜；

在通过构图工艺形成所述半导体层时，还形成了掺杂半导体层；所述半导体层和所述掺杂半导体层的形状一致；

在所述剥离所述沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜之后，且在所述对留下的源漏金属薄膜进行构图工艺之前，还包括：刻蚀掉与所述栅极相应的掺杂半导体层，以露出半导体层且形成掺杂半导体图形。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在通过构图工艺形成所述半导体层时，还形成了掺杂半导体层包括：

在所述掺杂半导体薄膜上涂覆光刻胶，并利用掩膜板进行曝光，显影后留下光刻胶完全保留区域的光刻胶，在光刻胶完全去除区域露出掺杂半导体薄膜；其中，所述光刻胶完全保留区域对应半导体层图形区域；

刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，以形成半导体层和掺杂半导体层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述制作源漏金属薄膜之前，还包括：在所述带有所述沟道位光刻胶的基板上制作掺杂半导体薄膜；

在剥离所述沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜的同时，还剥离了位于所述沟道位光刻胶和源漏金属薄膜之间的掺杂半导体薄膜；

在通过构图工艺形成源极、漏极时，还形成了掺杂半导体图形；所述掺杂半导体图形和所述源极、漏极的形状一致。

5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在透明基板上形成栅金属层；所述栅金属层包括：栅线和薄膜晶体管的栅极；

在形成有所述栅金属层的基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上制作透明的半导体薄膜，并通过构图工艺形成半导体层，且保留位于所述半导体层上方的光刻胶；

从所述透明基板一侧，以所述栅极为掩膜对保留的光刻胶进行曝光处理，在显影后形成至少与所述栅极相应的沟道位光刻胶；

在带有所述沟道位光刻胶的基板上制作源漏金属薄膜，并剥离所述沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜，再通过构图工艺形成源漏金属层；所述源漏金属层包括：数据线和薄膜晶体管的源极、漏极。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述制作源漏金属薄膜之前，还包括：在所述带有所述沟道位光刻胶的基板上制作透明导电薄膜；

所述在带有所述沟道位光刻胶的基板上制作源漏金属薄膜具体为：在所述透明导电薄膜上制作源漏金属薄膜；

在所述剥离所述沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜的同时，还剥离了位于所述沟道位光刻胶和所述源漏金属薄膜之间的透明导电薄膜；

在所述通过构图工艺形成源漏金属层时，还形成像素电极。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在通过构图工艺形成源漏金属层时，还形成像素电极包括：

在剥离了所述沟道位光刻胶及其上方的透明导电薄膜、源漏金属薄膜之后的基板上，涂覆光刻胶，并利用灰度掩膜板或半透掩膜板进行曝光，显影后留下光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域的光刻胶，在光刻胶完全去除区域露出源漏金属薄膜；其中，光刻胶完全保留区域对应源漏金属层图形区域和沟道区域，光刻胶半保留区域对应像素电极图形区域；

刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜和源漏金属薄膜，以得到像素电极；

通过灰化工艺去除掉光刻胶半保留区域的光刻胶，并刻蚀掉该光刻胶半保留区域露出的源漏金属薄膜，以得到源漏金属层；

剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。