[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶面板制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)，具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

现有技术制造TFT-LCD的方法中，薄膜晶体管的源极和漏极是用表面各个角上的对位标记来全面对准的，这样的对位方法对位精度不高，会造成栅极与源极、栅极与漏极之间有对位偏移，从而造成源/漏极与栅极之间的电容不均，进而导致液晶显示器色度不均，影响产品质量。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法，用以使源/漏极和栅极之间对位精确，从而提高产品质量。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

在透明基板上形成栅极；

在形成有所述栅极的基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上制作透明的半导体薄膜，并通过构图工艺形成半导体层，且保留位于所述半导体层上方的光刻胶；

从所述透明基板一侧，以所述栅极为掩膜对保留的光刻胶进行曝光处理，在显影后形成与所述栅极相应的沟道位光刻胶；

在带有所述沟道位光刻胶的基板上制作源漏金属薄膜，并剥离所述沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜，再通过构图工艺形成源极、漏极。

另一方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在透明基板上形成栅金属层；所述栅金属层包括：栅线和薄膜晶体管的栅极；

在形成有所述栅金属层的基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上制作透明的半导体薄膜，并通过构图工艺形成半导体层，且保留位于所述半导体层上方的光刻胶；

从所述透明基板一侧，以所述栅极为掩膜对保留的光刻胶进行曝光处理，在显影后形成至少与所述栅极相应的沟道位光刻胶；

在带有所述沟道位光刻胶的基板上制作源漏金属薄膜，并剥离所述沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜，再通过构图工艺形成源漏金属层；所述源漏金属层包括：数据线和薄膜晶体管的源极、漏极。

本发明实施例提供的薄膜晶体管的制造方法和阵列基板的制造方法，从透明基板的一侧以栅极作为掩膜板进行曝光处理，在显影后形成与所述栅极相应的沟道位光刻胶，并在之后通过剥离工艺去除掉沟道位光刻胶及其上方的源漏金属薄膜，从而形成与栅极对位精准的源极、漏极，进而可以提高产品质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1～图6为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制造方法过程中的结构示意图；

图7～图10为本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管的制造方法过程中的结构示意图；

图11～图13为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法过程中的结构示意图；

图14～图18为本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法过程中的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参考图1-图6，本发明实施例提供的薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：

S11、如图1所示，在透明基板001上形成栅极11。

示例性的，可以在透明基板上采用磁控溅射设备沉积栅金属薄膜，并利用构图工艺形成栅极。其中，该栅金属薄膜的材料可以是钼、铝、铜或者钨等金属，或者该栅金属薄膜还可以是钼、铝、铜或者钨等金属的复合膜层。

S12、在形成有所述栅极的基板上形成图2中的栅绝缘层002。

示例性的，可以用等离子体增强化学气相沉积设备沉积厚度为的栅绝缘层，该栅绝缘层的材料可以是SiNx、SiOx，该等离子体增强化学气相沉积设备中对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N2的混合气体或SiH2、Cl2、NH3、N2的混合气体。