[发明专利]一种具有低操作电压的SONOS结构器件有效
| 申请号： | 201210225786.8 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102769031A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 田志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低操作电压的SONOS结构器件及其制备方法。在传统的阻挡氧化层和多晶硅栅极之间插入一层具有电荷存储能力的氮化硅层，使得阈值电压降低，从而使编译时所需的门极电压下降，减少由于高电压引起的应力诱导的漏电流和降低器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 操作 电压 sonos 结构 器件 | ||
【主权项】：
一种具有低操作电压的SONOS结构器件，其特征在于，在具有源漏极的硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：隧穿氧化硅层、氮化硅层、阻挡氧化硅层、电荷存储氮化硅层和多晶硅控制栅，所述隧穿氧化硅层与硅衬底相接触；所述栅极四周设有侧墙，所述源漏极分别设在栅极两侧的硅衬底中。
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