[发明专利]一种晶体硅片及其扩散方法有效
| 申请号： | 201210224373.8 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102737964A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李清峰;龙维绪;张凤;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅片的扩散方法，包括如下步骤：(1)将晶体硅片进行制绒、清洗；(2)进行恒定源扩散，炉内气氛为携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气，扩散过程中所述携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气的流量均保持不变；(3)去除杂质玻璃，清洗；(4)进行限定源扩散，扩散过程中只通入氮气和氧气，且氮气和氧气流量保持不变；(5)扩散结束，取出硅片；所述硅片的表面掺杂浓度为1×1020~5×1020atom/cm3；其PN结的结深为0.5~1微米。本发明的扩散方法有效的降低了因表面掺杂浓度高导致的“死层”效应，减少了表面光生载流子的俄歇复合，提高少子寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 硅片 及其 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅片的扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将晶体硅片进行制绒、清洗；(2) 将上述晶体硅片进行恒定源扩散，炉内气氛为携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气，扩散过程中所述携带扩散源的氮气、氧气和纯氮气的流量均保持不变；(3) 将上述恒定源扩散之后的硅片去除杂质玻璃，清洗；(4) 将上述硅片进行限定源扩散，扩散过程中只通入氮气和氧气，且氮气和氧气流量保持不变；(5) 扩散结束，取出硅片；所述硅片的表面掺杂浓度为1×1020 ~5×1020 atom/cm3；其PN结的结深为0.5~1微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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