[发明专利]去耦电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210208922.2 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103208535B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括具有第一和第二注入区的半导体衬底以及在第一掺杂类型的第一和第二注入区之上及它们之间的电极。接触结构与所述第一和第二注入区以及电极直接接触。第三注入区具有与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型。块状接触件提供在所述第三注入区上。本发明还公开了去耦电容器及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一注入区和第二注入区，以及在第一掺杂剂类型的所述第一注入区和所述第二注入区之上以及它们之间的电极；接触结构，与所述第一注入区和所述第二注入区以及所述电极直接接触；第三注入区，具有与所述第一掺杂剂类型不同的第二掺杂剂类型，所述第三注入区具有在其上的块状接触件，其中，所述接触结构包括平行于沟道长度方向延伸的至少一个槽形接触件；并且，自顶向下看，所述至少一个槽形接触件位于所述第一注入区和所述第二注入区之外。
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