[发明专利]一种短沟道围栅结构MOSFET的阈值电压解析模型

摘要

本发明提供一种计算短沟道围栅结构MOSFET阈值电压的解析模型。在全耗尽以及弱反型的假设下求解二维泊松方程，在一定边界条件的制约下得到沟道电势的分布模型。通过高斯盒子的方法得到栅氧化层的电压降，然后根据本发明定义阈值电压的方法以及本发明求出的沟道电势分布模型推导得到短沟道围栅器件阈值电压解析模型。本发明的阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，且计算精度高，为电路级仿真软件提供了新型围栅器件的阈值电压解析模型。

主权项

1.一种短沟道围栅结构MOSFET的阈值电压解析模型，其特征在于该阈值电压模型的解析式为：，其中是内建电势，是漏电压，是栅电压，是平带电压，；和分别氧化层厚度以及氧化层介电常数，和分别是沟道长度以及圆柱半径；是氧化层单位面积电容；费米势，是掺杂的受主杂质浓度；和分别是硅和栅氧化层的介电常数；半导体表面处电势最低点即虚拟阴极处，式子中：，，，，，。