[发明专利]一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池无效
申请号: | 201210197020.3 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN103489940A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 王桂奋;谢德兵;王迎春 | 申请(专利权)人: | 金坛正信光伏电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213250 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池。该太阳能电池解决了目前衬底价格昂贵,品质低衬底的杂质向薄膜扩散影响电池质量的问题。多晶硅薄膜太阳能电池包括衬底、多晶硅薄膜、上电极和背电极,多晶硅薄膜上制有p-n结,衬底设在背电极上,在衬底和多晶硅薄膜之间设有重掺P+层和二氧化硅隔离层,在二氧化硅隔离层上设有若干个由背电极和上电极构成的电回路开口。在二氧化硅隔离层上光刻出开口,使电极可设在电池的正反两面,简化了电池的制作工艺;在衬底和多晶硅薄膜之间设有重掺P+层和二氧化硅隔离层,使得低品质的多晶硅片衬底也能作为基材使用,大大降低了制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 回路 开口 多晶 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于:包括衬底(1)、多晶硅薄膜(2)、上电极(3)和背电极(4),多晶硅薄膜(2)上制有p‑n结,衬底(1)设在背电极(4)上,在衬底(1)和多晶硅薄膜(2)之间设有重掺P+层(5)和二氧化硅隔离层(6),在二氧化硅隔离层(6)上设有若干个由背电极(4)和上电极(3)构成的电回路开口(6‑1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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