[发明专利]沟槽式功率半导体结构的制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽式功率半导体结构的制造方法，包括下列步骤：先提供一基材并形成一介电图案层于基材上，以定义出一主动区与一终端区，上述主动区的部分基材与终端区的基材被介电图案层所覆盖；然后，以选择性磊晶的方式，成长一第一磊晶层于未被介电图案层所覆盖的基材上；随后，移除主动区上的介电图案层，以形成一栅极沟槽于基材上；形成一栅极介电层于栅极沟槽内与第一磊晶层上且形成一栅极结构于栅极沟槽内；最后，利用终端区上的介电图案层为屏蔽，形成一本体区于第一磊晶层内或其上，并形成一源极区于本体区的上部分。本发明减少一道光罩的工艺，进而降低制作光罩的高额成本，并能避免光罩对准过程中，所造成的制造误差。

主权项

一种沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一基材；形成一介电图案层于基材上，以定义出一主动区与一终端区，其中该主动区的部分基材与该终端区的基材被该介电图案层所覆盖；以选择性磊晶的方式，成长一第一磊晶层于未被该介电图案层所覆盖的该基材上；移除该主动区上的该介电图案层，以形成至少一栅极沟槽于该基材上；形成一栅极介电层于该栅极沟槽内与该第一磊晶层上；形成一栅极结构于该栅极沟槽内；利用该终端区上的该介电图案层为屏蔽，形成一本体区于该第一磊晶层内或该第一磊晶层上；以及形成一源极区于该本体区的上部分。