[发明专利]电容器结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210195494.4 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103247698A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 林泰群;陈文昭;戴志和;毛明瑞;蔡冠智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开的实施例包括一种电容器结构及形成电容器结构的方法。实施例是一种包括位于衬底上的导体-绝缘体-导体电容器的结构。该导体-绝缘体-导体电容器包括位于衬底上的第一导体、位于第一导体上的介电堆叠件、以及位于介电堆叠件上方的第二导体。介电堆叠件包括第一氮化物层，位于第一氮化物层上方的第一氧化物层，以及位于第一氧化物层上方的第二氮化物层。又一实施例是一种方法包括在衬底上形成第一导体；在第一导体上方形成第一氮化物层；用第一氧化氮(N2O)处理来处理第一氮化物层以形成位于第一氮化物层上的氧化物层；在氧化物层上方形成第二氮化物层；以及在第二氮化层上方形成第二导体。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：导体‑绝缘体‑导体电容器，位于衬底上，所述导体‑绝缘体‑导体电容器包括：第一导体，位于所述衬底上；介电堆叠件，位于所述第一导体上方，所述介电堆叠件包括第一氮化物层、位于所述第一氮化物层上方的第一氧化物层、以及位于所述第一氧化物层上方的第二氮化物层，以及第二导体，位于所述介电堆叠件上方。
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