[发明专利]HVMOS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210193774.1 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103208521A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 钟淑维;游国丰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件，包括：第一HVMOS器件和第二HVMOS器件，每一个HVMOS器件都包括半导体衬底上方的栅电极，其中，第一HVMOS器件和第二HVMOS器件的栅电极分别具有第一栅极长度和第二栅极长度，且第二栅极长度大于第一栅极长度。第一HVMOS器件和第二HVMOS器件中的每一个分别都包括：p型第一阱区和n型第二阱区；以及本征区，位于第一阱区和第二阱区之间并与第一阱区和第二阱区接触。第一阱区和第二阱区的杂质浓度高于本征区的杂质浓度。第一HVMOS器件的本征区和第二HVMOS器件的本征区分别具有第一本征区长度和第二本征区长度，其中，第二本征区长度大于第一本征区长度。本发明还提供了HVMOS器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | hvmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体衬底；第一高压金属氧化物半导体器件（HVMOS）和第二高压金属氧化物半导体器件，每一个都包括：栅电极，位于所述半导体衬底上方，其中，所述第一HVMOS器件的所述栅电极和所述第二HVMOS器件的所述栅电极分别具有第一栅极长度和第二栅极长度，且所述第二栅极长度大于所述第一栅极长度；第一阱区和第二阱区，分别为p型和n型，其中，所述第一阱区和所述第二阱区中的每一个都与所述栅电极的部分重叠；以及本征区，位于所述第一阱区和所述第二阱区之间并且与所述第一阱区和所述第二阱区接触，其中所述第一阱区和所述第二阱区的杂质浓度高于所述本征区的杂质浓度，其中，所述第一HVMOS器件的所述本征区和所述第二HVMOS器件的所述本征区分别具有第一本征区长度和第二本征区长度，并且其中，所述第二本征区长度大于所述第一本征区长度。
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