[发明专利]一种光栅耦合器及其制作方法有效
| 申请号： | 201210193178.3 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102692682A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 盛振;仇超;甘甫烷;武爱民;王曦;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34;G02B6/124;G02B6/136 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光栅耦合器及其制作方法，提供一SOI衬底，刻蚀所述SOI衬底的顶层硅，形成周期为500~800nm的耦合光栅，同时于所述顶层硅中隔出CMOS有源区；于所述耦合光栅上制作覆盖于所述耦合光栅及CMOS有源区的栅氧化层；于所述栅氧化层表面形成导电层，刻蚀所述导电层，形成与所述耦合光栅周期相同的覆层结构，同时形成CMOS的栅极结构；最后形成保护层以完成制备。所述耦合光栅、栅氧化层及覆层结构均与CMOS的制备同时完成，可共享掩膜，降低了制作成本；覆盖于栅氧化层上的导电上覆层提高了耦合效率；优化的结构参数使得光栅耦合器的耦合效率显著提高；新颖的光栅耦合器结构使耦合效率对SOI埋氧层厚度的依赖性大为降低，从而放松了对SOI衬底的规格要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光栅 耦合器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种光栅耦合器的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括步骤：1）提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括背衬底、埋氧层及顶层硅，刻蚀所述顶层硅至所述埋氧层，形成具有多个间隔排列的硅块结构且周期为500~800nm的耦合光栅；2）于所述耦合光栅上制作覆盖于所述耦合光栅且厚度为1~10nm的栅氧化层；3）于所述栅氧化层表面形成厚度为100~300nm的导电层，刻蚀所述导电层，形成具有多个与所述硅块结构垂向对应的导电块结构的覆层结构；4）于步骤3）完成后所得结构的表面形成保护层。
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