[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，该金属氧化物薄膜晶体管结构包括：栅极金属层，栅极绝缘层，有源层，刻蚀阻挡层，源漏电极，保护层；本发明利用灰度掩膜版，并通过对光刻步骤进行特殊设计，大大简化了薄膜晶体管的制作工艺，并能够防止金属氧化物有源层的背沟道在工艺过程中受到污染。该发明应用于基于金属氧化物薄膜晶体管驱动面板的制作，是具有重要产业应用价值的技术。

主权项

一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在透明衬底上沉积SiO2或Si3N4作为缓冲层，厚度为50nm~200nm；（2）在缓冲层上沉积导电薄膜，并图形化形成栅极金属层；（3）在真空的状态下，连续沉积栅极绝缘层、有源层，刻蚀阻挡层；（4）在刻蚀阻挡层上沉积光刻胶，利用灰度掩膜版对光刻胶进行曝光、显影得到所需图形；（5）依次对刻蚀阻挡层、有源层、栅极绝缘层进行刻蚀，并将刻蚀阻挡层、有源层、栅极绝缘层刻蚀为同一图形；（6）对光刻胶进行减薄处理，保留刻蚀阻挡层上的光刻胶；使用干法刻蚀方法图形化刻蚀阻挡层；（7）在刻蚀阻挡层上沉积金属层，并图形化得到源漏电极；（8）沉积保护层，得到金属氧化物薄膜晶体管。