[发明专利]一种沟道型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210191750.2 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103489903A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 方伟 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟道型绝缘栅双极型晶体管（Trench IGBT）和制作该Trench IGBT的方法，该Trench IGBT中采用了肖特基接触结构，降低了自身的导通压降。本发明提供的Trench IGBT为：Trench IGBT包括栅氧化层、Pbody耐压区、N型低掺杂衬底基区、金属化阴极和肖特基接触层；所述肖特基接触层位于栅氧化层和Pbody耐压区之间，并且与N型低掺杂衬底基区和金属化阴极接触。制作该Trench IGBT的方法包括：在N型低掺杂衬底基区上形成Pbody耐压区和栅氧化层后，在栅氧化层和Pbody耐压区之间的N型低掺杂衬底基区上形成肖特基接触层；在肖特基接触层上形成金属化阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟道型绝缘栅双极型晶体管Trench IGBT，其特征在于，所述Trench IGBT包括栅氧化层、Pbody耐压区、N型低掺杂衬底基区、金属化阴极和肖特基接触层；所述肖特基接触层与栅氧化层、Pbody耐压区、N型低掺杂衬底基区和金属化阴极接触。
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