[发明专利]RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构及制造方法有效
| 申请号： | 201210187195.6 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103035610A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 周正良;遇寒;蔡莹 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构及制造方法，在P型基板上生长P型外延；生长氧化硅热氧层，其上淀积氮化硅层；光刻和干刻形成场氧开口；淀积氧化硅阻挡层，光刻和干刻打开场氧开口处的氧化硅阻挡层，刻蚀P型外延至基板上形成沟槽；湿法去除氧化硅阻挡层，生长场氧；光刻和湿法刻蚀去除沟槽内的场氧，进行小角度大剂量P型离子注入；淀积非掺杂多晶硅；回刻去除氮化硅层上面的多晶硅；再次进行热氧化；光刻和湿法刻蚀去除沟槽上的热氧化层，向沟槽内的多晶硅垂直注入P型离子；进行热开销使注入离子扩散。本发明降低了电阻，完全满足MOS管接地端通过硅晶片背面引出的要求，并降低接地金属连线引起的高电感对射频性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | rfldmos 连接 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种RFLDMOS中连接阱和基板的电连接结构，所述RFLDMOS包括P型重掺杂基板、位于P型重掺杂基板上的P型轻掺杂外延，所述P型轻掺杂外延中形成有P阱，其特征在于：所述电连接结构为一沟槽，所述沟槽的底部位于基板内，沟槽内填充有多晶硅，沟槽和多晶硅注入有P型杂质。
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