[发明专利]具有空气桥结构发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201210180422.2 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102683522A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李璟;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅掩蔽层；在其上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；第一次加热和采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；第二次加热和在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜；去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；采用温度处理使自组装聚苯乙烯球气化，在掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；刻蚀掩蔽层；酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；在纳米孔状阵列结构上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层，形成芯片；将芯片置于HF溶液中超声，使u-GaN层中的掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 空气 结构 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有空气桥结构发光二极管的制作方法，包括：1)在蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅掩蔽层，二氧化硅掩蔽层的厚度为400nm；2)在二氧化硅掩蔽层上排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；3)第一次加热，温度为80℃，使自组装聚苯乙烯球与二氧化硅掩蔽层结合牢固；4)采用ICP刻蚀的方法，刻蚀自组装聚苯乙烯球；5)第二次加热，温度为105℃，加热时间为1‑5min，使自组装聚苯乙烯球在二氧化硅掩蔽层有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装聚苯乙烯球的间隙、表面及二氧化硅掩蔽层的表面蒸镀金属掩膜，金属掩膜的材料为Al或Cr；并甲苯超声去除自组装聚苯乙烯球表面的金属掩膜；7)采用温度处理，使自组装聚苯乙烯球气化，二氧化硅掩蔽层上形成网孔状的金属掩膜；8)刻蚀二氧化硅掩蔽层，刻蚀深度到达蓝宝石衬底的表面；9)酸液腐蚀掉金属网孔状的金属掩膜，形成二氧化硅的纳米孔状阵列结构；10)在纳米孔状阵列结构上依次外延u‑GaN层、n‑GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p‑GaN层，形成芯片；11)将芯片置于HF溶液中超声，使u‑GaN层中的二氧化硅掩蔽层被腐蚀掉后，被空气包覆，完成发光二极管的制作。
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