[发明专利]一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法

摘要

本发明公开了一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法，包括待提取参数取值范围的划分，子光谱数据库的建立，支持向量机分类器训练光谱的生成，支持向量机分类器的生成、测量光谱的映射和在子光谱数据库中进行的最相似光谱搜索。与现有方法相比，本发明方法通过额外增加一个可以离线进行的支持向量机分类器训练环节，实现了将测量光谱映射到一个小范围的子数据库中。与在整个大数据库中进行最相似光谱检索相比，在子数据库中展开的检索所消耗的时间大大减少。并且，通过增加每个分类器中包含的类数，可以得到更小的子数据库，从而进一步加速参数的提取。该方法实现了参数的提取速度可预期与可控。

主权项

一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法，其特征在于，该方法包括下述过程：第1步 确定每一个待提取参数的取值范围，生成子光谱数据库；利用训练光谱和支持向量机训练网络进行支持向量机训练；第2步 利用训练完毕的支持向量机对测量光谱进行映射，映射到一个对应的子光谱数据库；第3步 利用搜索算法对所述对应的子光谱数据库展开搜索，找出结果最优的一条仿真光谱，该仿真光谱对应的仿真结构参数值即为待提取的纳米结构特征尺寸值。