[发明专利]一种绝缘体上半导体及其制备方法

摘要

本发明提供一种绝缘体上半导体及其制备方法，先在第一Si衬底上的第一SiO2层刻出多个孔道，然后选择性外延Ge、SixGeyCzSn1-x-y-z、III-V族等半导体材料，填充所述孔道并形成半导体层，以获得性能优异的半导体层，在所述半导体层表面键合具有第二SiO2层的第二Si衬底，然后去除所述Si衬底并去除所述SiO2，接着填充PMMA，并在所得结构的下表面键合具有第三SiO2层的第三Si衬底，退火使PMMA膨胀以剥离上述结构，该剥离工艺简单，有利于节约成本，最后进行抛光以完成所述绝缘体上半导体的制备。本发明与现有的半导体技术兼容；通过选择性外延可降低半导体层的缺陷，有利于绝缘体上半导体性能的提高；通过PMMA退火膨胀剥离的工艺简单，有利于节约成本。本发明适用于工业生产。

主权项

一种绝缘体上半导体的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一具有第一SiO2层的第一Si衬底，刻蚀所述第一SiO2层至所述第一Si衬底，在所述第一SiO2层上形成多个间隔排列的孔道；2）采用选择性外延技术从各该孔道内开始生长半导体材料，形成由填充至各该孔道内的半导体柱以及覆盖于该些半导体柱及所述第一SiO2层的上表面的半导体层组成的半导体结构；3）对所述半导体层进行抛光处理；4）提供具有第二SiO2层的第二Si衬底，键合所述第二SiO2层及所述半导体层；5）去除所述第一Si衬底以露出所述第一SiO2层，而后采用选择性腐蚀技术去除所述第一SiO2层，保留各该半导体柱及与各该半导体柱顶面一体成型的半导体层，然后于该些半导体柱之间填充聚甲基丙烯酸甲酯；6）提供具有第三SiO2层的第三Si衬底，键合所述第三SiO2层及该些半导体柱的底面；7）高温退火以使所述半导体结构从该些半导体柱剥离，然后将剥离后的半导体结构抛光至所述半导体层，以完成所述绝缘体上半导体的制备。