[发明专利]一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201210174834.5 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103031583A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 田丰;陈宏斌;蹇敦亮;刘毅 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法，包括：A、模板：准备具有均匀分布的通孔的模板，所述模板包括：氧化铝模板、苯胺模板、多肽膜；B、直流电沉积：b1、直流电沉积：将步骤a4制得的氧化铝模板的一面溅射上一层银作为阴极，待镀金属作阳极，放入电镀槽中，待镀金属盐溶液为电镀液；以及b2、参数控制：在步骤b1的阴极、阳极间加上设定的电压，保持电路电流恒定在2～4V，控制沉积时间，即得到生长在模板孔中的密排六方金属纳米线阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一维密排六方 晶体结构 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法，包括以下步骤：A、模板：准备具有均匀分布的通孔的模板，所述模板包括：氧化铝模板、多肽膜；B、直流电沉积：b1、直流电沉积：将模板的一面溅射上一层银作为阴极，待镀金属作阳极，放入电镀槽中，待镀金属盐溶液为电镀液；以及b2、参数控制：在步骤b1的阴极、阳极间加上设定的电压，保持电路电压恒定，控制沉积时间，即得到生长在模板孔中的密排六方晶体结构的镍纳米线阵列。
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