[发明专利]一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法

权利要求书

1.一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法，包括以下步骤：

A、模板：

准备具有均匀分布的通孔的模板，所述模板包括：氧化铝模板、多肽膜；

B、直流电沉积：

b1、直流电沉积：将模板的一面溅射上一层银作为阴极，待镀金属作阳极，放入电镀槽中，待镀金属盐溶液为电镀液；以及

b2、参数控制：在步骤b1的阴极、阳极间加上设定的电压，保持电路电压恒定，控制沉积时间，即得到生长在模板孔中的密排六方晶体结构的镍纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化铝模板的制备过程，包括以下步骤：

a1、第一次阳极氧化：去油抛光后的铝片作为阳极，铜为对电极，在酸性电解液中，温度保持在0℃，电极间电压为40V，阳极氧化12h，在铝片的表面生成氧化铝层；

a2、第一次除去氧化铝层：采用铬酸和磷酸混合溶液除去生成的氧化铝层，洗净；

a3、第二次阳极氧化：将步骤a2除去氧化铝层后的铝片作为阳极，铜为阴极，进行第二次阳极氧化，在酸性电解液中，温度保持在0℃，电极间电压为40V，阳极氧化时间为2~3h，经过第二次阳极氧化后，铝片表面就形成均匀分布氧化铝孔道阵列，在孔道底部和铝片结合处有一层薄的阻挡层；以及

a4、除去阻挡层和扩孔：采用酸性氯化铜溶液除去剩余的氧化铝层，所述酸性氯化铜溶液为15gCuCl₂+30ml 35wt%盐酸+270ml水；然后用5wt%磷酸溶液去阻挡层，洗净，烘干，形成具有均匀分布的通孔的氧化铝模板。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤a1和a3中，所述电解液采用磷酸、草酸、硫酸的任一种。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤a2中，按照重量比，所述15wt%铬酸和10wt%磷酸的体积比为1：5。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤a3中，所述阳极氧化时间为2h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b1中，阳极为镍，所述电镀液含220g/l NiSO₄·6H₂O,30g/l NiCl₂and 10g/l H₃BO₃。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b2中，沉积时间1～10min。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b2中，电压恒定在2~4V之间的某一值。