[发明专利]肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210174594.9 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456773A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 蒲贤勇;程勇;杨广立;马千成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管及其制造方法，所述肖特基二极管包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的多个沟槽结构，用于将半导体衬底分隔为阳极区和阴极区；位于阳极区半导体衬底上、围绕所述阳极区的栅极结构环，所述栅极结构环沿环向的每一位置处均与所述阳极区半导体衬底有接触区域；位于栅极结构环露出的阳极区半导体衬底上、栅极结构环上、沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的金属层，其中，所述栅极结构环露出的阳极区半导体衬底和栅极结构环上的金属层电连接在一起，作为阳极，沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的金属层电连接在一起，作为阴极。本发明还提供一种制造所述肖特基二极管的方法。本发明可以提高肖特基二极管的反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的多个沟槽结构，用于将半导体衬底分隔为阳极区和阴极区；位于阳极区半导体衬底上、围绕所述阳极区的栅极结构环，所述栅极结构环沿环向的每一位置处均与所述阳极区半导体衬底有接触区域；位于栅极结构环露出的阳极区半导体衬底上、栅极结构环上、沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的金属层，其中，所述栅极结构环露出的阳极区半导体衬底和栅极结构环上的金属层电连接在一起，作为阳极，沟槽结构露出的阴极区半导体衬底上的金属层电连接在一起，作为阴极。
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