[发明专利]提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构及使用方法无效
| 申请号： | 201210168046.5 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102721905A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 尹彬锋;赵敏;李瀚超 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构，包括：若干并联电容，每一个电容的上极板均通过第一接线连接第一金属垫，每一个电容的下极板均通过第二接线连接第二金属垫，其特征在于，还包括：第三金属垫，通过第三接线连接所述第二接线；第四金属垫，通过第四接线连接所述第一接线。本发明的优点是：采用新的测试结构后，对测试结果没有影响，同时在失效分析时也能保证绝大部分样品能找到失效位置。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 绝缘体 击穿 电压 失效 分析 效率 测试 结构 使用方法 | ||
【主权项】：
一种提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构，包括：若干并联电容，每一个电容的上极板均通过第一接线连接第一金属垫，每一个电容的下极板均通过第二接线连接第二金属垫，其特征在于，还包括：第三金属垫，通过第三接线连接所述第二接线；第四金属垫，通过第四接线连接所述第一接线。
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