[发明专利]提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构及使用方法无效
| 申请号： | 201210168046.5 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102721905A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 尹彬锋;赵敏;李瀚超 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 绝缘体 击穿 电压 失效 分析 效率 测试 结构 使用方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构，包括：若干并联电容，每一个电容的上极板均通过第一接线连接第一金属垫，每一个电容的下极板均通过第二接线连接第二金属垫，其特征在于，还包括：
第三金属垫，通过第三接线连接所述第二接线；
第四金属垫，通过第四接线连接所述第一接线。
2.一种采用权利要求1所述的测试结构进行电击穿测试的方法，其特征在于，包括如下步骤：
悬空所述第三金属垫和第四金属垫；
在所述第一金属垫和第二金属垫上加压进行测试。
3.一种采用权利要求1所述的测试结构进行失效的方法，其特征在于，包括：若发现连线烧毁，无法准确定位，则采用第三金属垫和第四金属垫来进行定位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210168046.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种烟用香原料的前处理方法
- 下一篇：多接口插拔活动式测试工装夹具
