[发明专利]提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构及使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的测试结构，涉及一种提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构及使用方法。

背景技术

在工艺可靠性测试中，需要对绝缘层进行电击穿测试，现有的测试结构为大块电容结构。

由于版图设计的要求，单块电容面积大小有限制，同时又由于测试对总电容面积有要求，为了减少测试时间及测试样品量，在版图设计时，会将多块大面积（符合版图设计要求）电容结构，并联在一起，参考如图1所示的结构，包括：若干并联电容10，每一个电容10的上极板101均通过第一接线201连接第一金属垫1，每一个电容10的下极板102均通过第二接线202连接第二金属垫2。当电容被击穿时瞬间产生的大电流会将电流流过的连线烧毁。这样在后续的失效分析时，就无法准确定位到失效位置，从而难以查找失效的根本原因。

因此，提供一种结构简单，同时能够提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构及使用方法就显得尤为重要了。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术中，连线被烧毁后，无法准确定位到失效位置，进行失效分析的缺陷。

本发明公开一种提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构，包括：若干并联电容，每一个电容的上极板均通过第一接线连接第一金属垫，每一个电容的下极板均通过第二接线连接第二金属垫，其中，还包括：

第三金属垫，通过第三接线连接所述第二接线；

第四金属垫，通过第四接线连接所述第一接线。

上述的测试结构，其中，所述第三金属垫和第二金属垫相对设置于所述若干电容的两侧，所述第四金属垫和第一金属垫相对设置于所述若干电容的两侧。

根据本发明的另一个方面，还公开一种采用上述的测试结构进行电击穿测试的方法，其中，包括如下步骤：

悬空所述第三金属垫和第四金属垫；

在所述第一金属垫和第二金属垫上加压进行测试。

根据本发明的又一个方面，还公开一种上述的测试结构进行失效的方法，其中，包括：若发现连线烧毁，无法准确定位，则采用第三金属垫和第四金属垫来进行定位。

本发明的优点是：

采用新的测试结构后，对测试结果没有影响，同时在失效分析时也能保证绝大部分样品能找到失效位置。

附图说明

通过参照本发明非限制性实施例描述所作的附图，本发明将会变得更好理解，其中；

图1示出了现有技术中的绝缘层进行电击穿测试的结构；以及

图2示出了根据本发明一个实施例的，提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构的示意图。

具体实施方式

本发明可以在不背离其精神和本质特征的情况下以若干形式实施，应当理解的是，上述的例子并不会受到前述细节的限制，除非另有说明，应该概括地理解其精神和如附加的权利要求所定义的范围，因此，所有落入所述权利要求的集合和范围的变化和变形、或类似集合和范围的等同将被所述附加权利要求所包含。

本发明设计的提高绝缘体击穿电压失效分析效率的测试结构，包括：若干并联电容10，每一个电容10的上极板101均通过第一接线201连接第一金属垫1，每一个电容10的下极板102均通过第二接线202连接第二金属垫2，其中，还包括：第三金属垫3，通过第三接线203连接所述第二接线202；第四金属垫4，通过第四接线204连接所述第一接线201。

更为具体地，参考图2，所述第三金属垫3和第二金属垫2相对设置于所述若干电容10的两侧，所述第四金属垫4和第一金属垫1相对设置于所述若干电容10的两侧。使得第二接线202连接至第二金属垫2，第三接线203反向连接至第三金属垫3，第一接线201连接至第一金属垫1，第四接线204反向连接至第四金属垫4。 

在进行电击穿测试的方法中，包括如下步骤：先悬空所述第三金属垫3和第四金属垫4，防止电流通过，避免被烧毁；然后在所述第一金属垫1和第二金属垫2上加压进行测试。

在进行失效分析时，如果发现连线被烧毁，无法准确定位，则采用第三金属垫3和第四金属垫4来进行定位。

本领域技术人员理解，只要保证测试时用的金属垫和失效分析时用的金属垫不一样即可。

改进后的本发明对测试结果没有影响，同时在失效分析时也能保证绝大部分样品能找到失效位置。

以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。