[发明专利]一种砷化镓单晶的生长方法无效
| 申请号： | 201210167241.6 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102677175A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 房永征;金敏;徐家跃;张娜;王占勇;张彦;江国健 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200235 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种砷化镓单晶的生长方法。即将砷化镓多晶原料放入预先放置籽晶的PNB坩埚内，然后将PNB坩埚置于生长炉内的下降台上，下降台上放置1～5根PNB坩埚，调整生长炉炉体温度处于1200～1300℃，使籽晶顶部熔化后将下降台下降的同时并旋转，晶体生长结束后将PNB坩埚移至生长炉内的恒温区对GaAs晶体实行原位退火，退火过程控制生长炉内的温度为950～1100℃、时间为8～12h，然后再以20～70℃/h的速率降至室温,即得到GaAs单晶。本发明的一种砷化镓单晶的生长方法，生长的晶体热应力小和均匀性好，且位错密度较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓（GaAs）单晶的生长方法，其特征在于具体包括以下步骤：（1）、将砷化镓多晶原料放入预先放置籽晶的PNB坩埚内，然后将PNB坩埚置于生长炉内的下降台上；（2）、下降台上放置1～5根PNB坩埚，调整生长炉炉体温度处于1200～1300℃，使籽晶顶部熔化；（3）、步骤（2）籽晶顶部熔化后将下降台下降的同时并旋转，反应10～15h后，晶体生长结束；（4）、步骤（3）晶体生长结束后，将PNB坩埚移至生长炉内的恒温区，对GaAs晶体实行原位退火，退火过程控制生长炉内的温度为950～1100℃、时间为8～12h，然后再以20～70℃/h的速率降至室温,即得到GaAs单晶。
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