[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210165160.2 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102800693A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 金志永;吴容哲;禹东秀;郑铉雨;秦教英;崔成菅;洪亨善;黄有商 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L23/488;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜盛花;陈源 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，在该半导体器件中由两个子栅独立地控制一个沟道区以抑制泄漏电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：布置在衬底上的栅电极；以及形成在所述衬底上并将分别与所述栅电极的两端相邻的第一杂质注入区和第二杂质注入区；以及在所述第一杂质注入区和所述第二杂质注入区之间形成的沟道区，其中所述栅电极包括与所述第一杂质注入区相邻的第一子栅电极和与所述第二杂质注入区相邻的第二子栅电极，并且其中所述第一子栅电极和所述第二子栅电极布置在所述沟道区上。
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