[发明专利]SOI MOS晶体管无效
| 申请号： | 201210155009.0 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102683417A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李莹;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种SOI MOS晶体管，包括：形状连续的器件有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；栅极，跨器件有源区延伸；源区和漏区，分别位于栅极两侧的器件有源区中；体接触有源区，独立于器件有源区，并且通过不到底隔离电连接到栅极之下的沟道区。本发明提供的SOI体接触MOS晶体管有利于抑制浮体效应，减小长沟道晶体管寄生电容和寄生电阻的影响，减小侧向泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | soi mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种SOI MOS晶体管，包括：形状连续的器件有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；栅极，跨器件有源区延伸；源区和漏区，分别位于栅极两侧的器件有源区中；体接触有源区，独立于器件有源区，并且通过不到底隔离电连接到栅极之下的沟道区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210155009.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂离子电池
- 下一篇：一种用于光纤陀螺的复合壳体
- 同类专利
- 专利分类
