[发明专利]SOI MOS晶体管无效
| 申请号： | 201210155009.0 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102683417A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李莹;毕津顺;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi mos 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种SOI MOS晶体管，包括：
形状连续的器件有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；
栅极，跨器件有源区延伸；
源区和漏区，分别位于栅极两侧的器件有源区中；
体接触有源区，独立于器件有源区，并且通过不到底隔离电连接到栅极之下的沟道区。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述的体接触有源区分布在栅极宽度方向上的一侧或两侧。
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