[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底和包括其的有机发光显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210154435.2 申请日: 2012-05-17
公开(公告)号: CN102931198B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 朴锺贤;柳春基;朴鲜;李律圭;文相皓 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 代理人: 余朦,姚志远
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种薄膜晶体管阵列衬底。在一个实施方式中,晶体管包括电容器,电容器包括设置在与有源层同一层上的下部电极和设置在与栅电极同一层上的上部电极。晶体管还可包括设置在有源层与栅电极之间并且在下部电极与上部电极之间的第一绝缘层,第一绝缘层没有设置在下部电极的周边上。晶体管还可包括在第一绝缘层与源电极和漏电极之间的第二绝缘层,第二绝缘层没有设置在上部电极和下部电极的周边上。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 衬底 包括 有机 发光 显示器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列衬底,包括:薄膜晶体管,设置在衬底上,其中所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、以及源电极和漏电极;电容器,包括i)设置在与所述有源层相同层上的下部电极以及ii)设置在与所述栅电极相同层上的上部电极;像素电极,设置在与所述栅电极和所述上部电极相同的层上,其中所述像素电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的至少一个;第一绝缘层,设置在所述有源层与所述栅电极之间并且在所述电容器的所述下部电极与所述上部电极之间;第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层与所述源电极和所述漏电极之间,其中所述第二绝缘层形成有暴露所述上部电极和所述下部电极的整个部分的接触孔;以及第三绝缘层,覆盖所述源电极和所述漏电极以及所述上部电极,其中所述像素电极的至少一部分没有被所述第三绝缘层覆盖,其中排线设置在与所述下部电极相同的层上并且连接到所述下部电极,并且其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层没有形成在所述下部电极与所述排线彼此连接的连接部分上,以及其中所述下部电极、所述排线和所述连接部分中的每一个均由掺杂有离子杂质的半导体材料形成。
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