[发明专利]薄膜晶体管阵列衬底和包括其的有机发光显示器及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年8月9日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0079147号韩国专利申请的权益，该申请公开的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

所描述的技术概括地涉及薄膜晶体管阵列衬底、包括该阵列衬底的有机发光显示器以及制造该衬底的方法。

背景技术

例如有机发光显示器或液晶显示器（LCD）的平板显示器包括薄膜晶体管（TFT）、电容器以及用于连接TFT和电容器的排线。

以精细图案形成的TFT、电容器以及排线均设置在将要在其上制造平板显示器的衬底上。利用掩模来转移图案的光刻工艺通常被用于在衬底上形成精细图案。

根据光刻工艺，将光刻胶均匀地施加在将要在其上形成精细图案的衬底上，利用曝光设备（例如步进式曝光机）使光刻胶曝光，并将已曝光的光刻胶显影。在光刻胶已被显影从而部分光刻胶被去除之后，蚀刻由剩余的光刻胶在衬底上形成的图像，并且在图案已形成之后去除不必要的光刻胶。

在利用掩模转移图案的工艺中，不得不制备包括必要图案的掩模。因而，当利用掩模的工艺的数量增多时，制造成本增加。此外，平板显示器的制造工艺因掩模工艺的复杂性而变得复杂，并且平板显示器的制造时间增加，因而总体制造成本增大。

发明内容

一个发明性的方面是可容易地制造并具有高质量的信号传输的薄膜晶体管阵列衬底、包括该薄膜晶体管阵列衬底的有机发光显示器以及制造该薄膜晶体管阵列衬底的方法。

另一方面是一种薄膜晶体管阵列衬底，其可包括：薄膜晶体管，设置在衬底上，其中所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、以及源电极和漏电极；电容器，包括设置在与所述有源层相同层上的下部电极以及设置在与所述栅电极相同层上的上部电极；像素电极，设置在与所述栅电极和所述上部电极相同的层上，其中所述像素电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的至少一个；第一绝缘层，设置在所述有源层与所述栅电极之间并且在所述下部电极与所述上部电极之间，其中所述第一绝缘层没有设置在所述下部电极的周边上；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层与所述源电极和所述漏电极之间，其中所述第二绝缘层没有设置在所述上部电极和所述下部电极的周边上；以及第三绝缘层，覆盖所述源电极和所述漏电极以及所述上部电极，并且暴露所述像素电极。

所述有源层和所述下部电极可包括掺杂有离子杂质的半导体材料。

所述栅电极可包括由透明传导材料形成的第一层以及由金属形成的第二层。

所述像素电极和所述上部电极可包括透明传导材料。

所述透明传导材料可包括选自由氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In₂O₃）、氧化镓铟（IGO）以及氧化锌铝（AZO）构成的组中的至少一种。

所述第一绝缘层和所述第二绝缘层可包括相同的蚀刻表面。

在所述蚀刻表面与所述下部电极之间可形成间隙。

所述第三绝缘层可设置在所述间隙中。

所述第三绝缘层可直接接触没有设置所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的、所述下部电极的周边。

所述第一绝缘层和所述第二绝缘层可包括有机绝缘层。

所述第三绝缘层可以是有机绝缘层。

排线可设置在与所述下部电极相同的层上并且连接到所述下部电极，并且所述第一绝缘层可不形成在所述下部电极与所述排线彼此连接的连接部分上。

所述排线和所述连接部分可包括掺杂有离子杂质的半导体材料。

在插入所述上部电极与所述下部电极之间的所述第一绝缘层的所述蚀刻表面上可形成阶梯形部分。

另一方面是一种有机发光显示器，包括：薄膜晶体管，设置在衬底上，其中所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、以及源电极和漏电极；电容器，包括设置在与所述有源层相同层上的下部电极以及设置在与所述栅电极相同层上的上部电极；像素电极，设置在与所述栅电极和所述上部电极相同的层上，其中所述像素电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的至少一个；第一绝缘层，设置在所述有源层与所栅电极之间并且在所述下部电极与所述上部电极之间，所述第一绝缘层覆盖没有设置在所述下部电极的周边上；第二绝缘层，在所述第一绝缘层与所述源电极和所述漏电极之间，所述第二绝缘层没有设置在所述上部电极和所述下部电极的周边上；第三绝缘层，覆盖所述源电极和所述漏电极以及所述上部电极，并暴露所述像素电极；有机发射层，设置在所述像素电极上；以及相对电极，设置在所述有机发射层上。