[发明专利]光电元件与其制造方法有效
申请号: | 201210150962.6 | 申请日: | 2012-05-15 |
公开(公告)号: | CN102931318B | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 韩政男;李宗宪;谢明勋;陈宏萱;刘欣茂;陈星兆;陶青山;倪志鹏;陈泽澎;吴仁钊;佐野雅文;王志铭 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/58 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种光电元件与其制造方法。该光电元件具有一光电单元,光电单元具有一第一上表面、与第一上表面相对的一第一下表面以及介于第一上表面与第一下表面之间的一侧面;一第一透明结构,覆盖光电单元的侧面与曝露第一上表面;一第一绝缘层,位于第一上表面与第一透明结构之上;一第二绝缘层位于第一绝缘层之上;一第一开口穿过第一绝缘层与第二绝缘层;以及一第一导电层,位于第二绝缘层之上,并经由第一开口与光电单元电连接。 | ||
搜索关键词: | 光电 元件 与其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一光电元件包含:光电单元,包含第一上表面;第一下表面,与该第一上表面相对;以及最外侧面,位于该第一上表面与该第一下表面之间;第一透明结构,覆盖该最外侧面与曝露该第一上表面;第一绝缘层,位于该第一上表面与该第一透明结构之上且未覆盖该最外侧面并具有一段弧形的剖面;第二绝缘层,位于该第一绝缘层之上;第一开口,通过该第一绝缘层与该第二绝缘层;第一金属层,介于该第一上表面和该第一绝缘层之间,且具有一大于该第一开口的宽度;以及第一导电层,位于该第二绝缘层之上,通过该第一开口与该光电单元电连接且向外延伸超出该最外侧面。
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