[发明专利]光电元件与其制造方法

权利要求书

1.一光电元件包含：光电单元，包含第一上表面；第一下表面，与该第一上表面相对；以及最外侧面，位于该第一上表面与该第一下表面之间；

第一透明结构，覆盖该最外侧面与曝露该第一上表面；

第一绝缘层，位于该第一上表面与该第一透明结构之上且未覆盖该最外侧面并具有一段弧形的剖面；

第二绝缘层，位于该第一绝缘层之上；

第一开口，通过该第一绝缘层与该第二绝缘层；

第一金属层，介于该第一上表面和该第一绝缘层之间，且具有一大于该第一开口的宽度；以及

第一导电层，位于该第二绝缘层之上，通过该第一开口与该光电单元电连接且向外延伸超出该最外侧面。

2.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一绝缘层的热膨胀系数小于该第一透明结构的热膨胀系数。

3.如权利要求1所述的光电元件，还包含一反射层，位于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，其中该第一绝缘层的热膨胀系数介于该第一透明结构与该反射层的热膨胀系数之间。

4.如权利要求3所述的光电元件，其中该第一绝缘层电绝缘该第一金属层与该反射层，该反射层与部分第一金属层重叠。

5.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一绝缘层的热膨胀系数是3ppm/℃至200ppm/℃。

6.如权利要求1所述的光电元件，还包含第二透明结构，位于该第一透明结构之下，其中该第二透明结构的折射系数大于该第一透明结构的折射系数。

7.如权利要求6所述的光电元件，其中该第二透明结构由剖面视之的形状选择自由三角形、半圆形、四分之一圆形、五角形与四边形所构成的群组，及/或该第二透明结构与该光电单元由剖面视之的宽度比例是1.5至3。

8.如权利要求7所述的光电元件，其中该四边形包含倒梯形。

9.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一导电层包含多个附属层。

10.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一导电层由上视图视之包含一斜角。

11.如权利要求1所述的光电元件，还包含第二导电层，位于该第二绝缘层之上且与该第一导电层分隔，其中该第一导电层与该第二导电层之间的距离不小于100微米，及/或该第一导电层与该第二导电层的上表面面积相对于该第一透明结构的下表面面积的比例大于50％。

12.如权利要求1所述的光电元件，还包含：

第一波长转换层，位于该光电单元之下与该第一透明结构之中；以及

第二波长转换层，位于该第一波长转换层之下与该第一透明结构之中；

其中该第一波长转换层被激发后所发的光具有第一波长，该第二波长转换层被激发后所发的光具有第二波长，该第一波长大于该第二波长。

13.如权利要求12所述的光电元件，其中该第一波长转换层及/或该第二波长转换层的材料是半导体材料，其中该半导体材料包含一种以上的元素选自由镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se)所构成的群组。

14.如权利要求12所述的光电元件，其中该第一波长转换层或该第二波长转换层的材料是荧光粉，其中该荧光粉选自由YAG、硅酸盐、钒酸盐、碱土金属硅酸盐、碱土金属硫化物、碱土金属硒化物、碱土金属镓硫化物、金属氮化物、金属氮氧化物、钨钼酸盐族混合物、氧化物混合物、玻璃荧光粉混合物与上述材料的组合所构成的群组。