[发明专利]一种具有无源金属肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210149039.0 | 申请日： | 2012-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103390650B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有无源金属肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，漂移区的耗尽层在整个无源金属区界面扩展，并且在无源金属区间发生交叠，从而提高器件的反向击穿电压，降低器件的正向导通电阻，改善器件的正向导通特性。本发明还提供了一种具有无源金属肖特基半导体装置的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 无源 金属 肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有无源金属肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；无源金属区，为金属与半导体材料的化合物，位于漂移层中沟槽内侧壁下部，同时沟内填充绝缘材料，无源金属区垂直衬底层方向与第一导电半导体材料交替排列构成，并且其上表面临靠绝缘材料或者第一导电半导体材料，沟槽内上部填充多晶第二导电半导体材料，多晶第二导电半导体材与漂移层和金属与半导体材料的化合物通过沟槽内填充绝缘材料隔离；肖特基势垒结，位于漂移层上表面，为半导体材料与金属形成的势垒结，并且其与无源金属区不相连。
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