[发明专利]提高静态随机存储器写入冗余度的方法无效
| 申请号： | 201210145500.5 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN102683188A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法。根据本发明的提高静态随机存储器写入冗余度的方法包括：在采用张应力通孔刻蚀停止层应力处理时，在消除PMOS器件区域的张应力的元素离子注入工艺步骤中，除了采用光刻胶覆盖NMOS器件之外，还采用附加的光刻胶将上拉管区域覆盖，使得元素离子不会对上拉管区域的通孔刻蚀停止层进行注入，从而保持了上拉管沟道之中的张应力。根据本发明，由于保持了上拉管沟道之中的张应力，所以降低了上拉管器件的载流子迁移率，从而增大了上拉管的等效电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 静态 随机 存储器 写入 冗余 方法 | ||
【主权项】：
一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于包括：在采用张应力通孔刻蚀停止层应力处理时，在消除PMOS器件区域的张应力的元素离子注入工艺步骤中，除了采用光刻胶覆盖NMOS器件之外，还采用附加的光刻胶将上拉管区域覆盖，使得元素离子不会对上拉管区域的通孔刻蚀停止层进行注入，从而保持了上拉管沟道之中的张应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
