[发明专利]提高静态随机存储器写入冗余度的方法

权利要求书

1.一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于包括：在采用张应力通孔刻蚀停止层应力处理时，在消除PMOS器件区域的张应力的元素离子注入工艺步骤中，除了采用光刻胶覆盖NMOS器件之外，还采用附加的光刻胶将上拉管区域覆盖，使得元素离子不会对上拉管区域的通孔刻蚀停止层进行注入，从而保持了上拉管沟道之中的张应力。

2.根据权利要求1所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，所述元素离子是锗元素离子。

3.根据权利要求1或2所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，所述提高静态随机存储器写入冗余度的方法用于45nm及以下静态随机存储器制备处理。

4.根据权利要求1或2所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，所述提高静态随机存储器写入冗余度的方法是通过逻辑运算实现的。

5.一种静态随机存储器制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至4之一所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法。