[发明专利]半导体器件结构及其制作工艺方法无效
| 申请号： | 201210145087.2 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103035837A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;许升高 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件结构，包括：一下层金属，在该下层金属的上端面依次形成的抗反射层和金属绝缘层，在所述金属绝缘层的通孔中淀积金属作为下电极，在该下电极的上端形成的金属氧化层；在所述下电极和金属氧化层与通孔的侧壁之间具有一由金属构成的阻挡层，其特征在于：还包括：在所述金属绝缘层和金属氧化层的上端淀积的金属铝层，该金属铝层作为上电极；最终形成由下电极、金属氧化层和金属铝层构成的金属-绝缘体-金属。本发明还公开了一种所述半导体器件结构的制作工艺方法。本发明能显著提高起始电阻的阻值，并具有良好的变阻特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制作 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：一下层金属，在该下层金属的上端面依次形成的抗反射层和金属绝缘层，在所述金属绝缘层的通孔中淀积金属作为下电极，在该下电极的上端形成的金属氧化层；在所述下电极和金属氧化层与通孔的侧壁之间具有一由金属构成的阻挡层，其特征在于：还包括：在所述金属绝缘层和金属氧化层的上端淀积的金属铝层，该金属铝层作为上电极；最终形成由下电极、金属氧化层和金属铝层构成的金属‑绝缘体‑金属。
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