[发明专利]半导体器件结构及其制作工艺方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：一下层金属，在该下层金属的上端面依次形成的抗反射层和金属绝缘层，在所述金属绝缘层的通孔中淀积金属作为下电极，在该下电极的上端形成的金属氧化层；在所述下电极和金属氧化层与通孔的侧壁之间具有一由金属构成的阻挡层，其特征在于：还包括：在所述金属绝缘层和金属氧化层的上端淀积的金属铝层，该金属铝层作为上电极；最终形成由下电极、金属氧化层和金属铝层构成的金属-绝缘体-金属。

2.一种如权利要求1所述的半导体器件结构的制作工艺方法，包括如下步骤：

步骤一、由下至上依次形成下层金属、抗反射层和金属绝缘层；

步骤二、在所述金属绝缘层中制作一通孔；

步骤三、在所述通孔的侧壁先淀积一层金属阻挡层；

步骤四、在所述通孔中淀积金属且完全填充通孔，将该金属作为下电极；

步骤五、将所述通孔上部的金属进行快速热氧化处理，形成金属氧化层；其特征在于，还包括：

步骤六、在所述金属绝缘层和金属氧化层的上端淀积金属铝层作为上电极，对该金属铝层进行快速热退火处理；最终形成金属-绝缘体-金属结构。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述阻挡层的金属材料包含但不限于氮化钛。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述下电极的金属材料包含但不限于金属钨。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述金属氧化层的厚度为进行快速热氧化时的氧化温度为400℃-550℃，氧化的气体包含但不限于纯氧或氮氧混合气。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述上电极的厚度为淀积方式包含但不限于溅射；快速热退火处理的温度为400℃-500℃，时间为30sec-150sec，快速热退火气氛包含但不限于氮气或氩气。