[发明专利]MEMS麦克风结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210143668.2 | 申请日： | 2012-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103391501A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 柳连俊 | 申请（专利权）人： | 迈尔森电子(天津)有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 300381 天津市南开*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS麦克风结构及其制作方法，所述MEMS麦克风结构将和第二衬底共同形成信号处理电路的第二导电结构层与形成有MEMS麦克风组件的第一衬底上的第一导电结构层通过第一导电粘合结构和第二导电粘合结构面对面贴合，并且第一导电结构层中包括连接第一衬底的第一衬底导电结构，第二导电结构层中包括连接第二衬底的第二衬底导电结构，采用本发明的MEMS麦克风结构，在MEMS麦克风组件工作时，所述第一衬底导电结构和/或第二衬底导电结构连接地电位或通过低阻抗接地或其他屏蔽电位，可以屏蔽外界的电干扰，提高了MEMS麦克风结构的抗干扰能力。 | ||
| 搜索关键词： | mems 麦克风 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS麦克风结构，其特征在于，包括：第一衬底，所述第一衬底具有第一开口；所述第一衬底上的第一介质层和第一导电结构层，所述第一导电结构层包括MEMS麦克风组件、第一导电粘合结构、第一衬底导电结构，其中，所述MEMS麦克风组件包括敏感薄膜，所述第一开口与所述敏感薄膜相对应；所述第一导电粘合结构的上表面为第一粘合面；所述第一衬底导电结构贯穿所述第一介质层与所述第一衬底连接；第二衬底，所述第二衬底具有第二开口，所述第二衬底包含有信号处理电路元素；所述第二衬底上的第二介质层和第二导电结构层，所述第二导电结构层包括和第二衬底共同形成信号处理电路的导电结构、第二导电粘合结构和第二衬底导电结构；所述第二导电粘合结构的上表面为第二粘合面；所述第二衬底导电结构贯穿所述第二介质层与所述第二衬底连接；所述第一导电结构层和第二导电结构层通过所述第一导电粘合结构和第二导电粘合结构面对面贴合；所述第二开口与所述MEMS麦克风组件的敏感薄膜相对应；所述MEMS麦克风组件工作时，所述第一衬底导电结构和/或第二衬底导电结构连接地电位或通过低阻抗接地或其他屏蔽电位。
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