[发明专利]MEMS麦克风结构及其制作方法

权利要求书

1.一种MEMS麦克风结构，其特征在于，包括：

第一衬底，所述第一衬底具有第一开口；

所述第一衬底上的第一介质层和第一导电结构层，所述第一导电结构层包括MEMS麦克风组件、第一导电粘合结构、第一衬底导电结构，其中，所述MEMS麦克风组件包括敏感薄膜，所述第一开口与所述敏感薄膜相对应；所述第一导电粘合结构的上表面为第一粘合面；所述第一衬底导电结构贯穿所述第一介质层与所述第一衬底连接；

第二衬底，所述第二衬底具有第二开口，所述第二衬底包含有信号处理电路元素；

所述第二衬底上的第二介质层和第二导电结构层，所述第二导电结构层包括和第二衬底共同形成信号处理电路的导电结构、第二导电粘合结构和第二衬底导电结构；所述第二导电粘合结构的上表面为第二粘合面；所述第二衬底导电结构贯穿所述第二介质层与所述第二衬底连接；

所述第一导电结构层和第二导电结构层通过所述第一导电粘合结构和第二导电粘合结构面对面贴合；所述第二开口与所述MEMS麦克风组件的敏感薄膜相对应；

所述MEMS麦克风组件工作时，所述第一衬底导电结构和/或第二衬底导电结构连接地电位或通过低阻抗接地或其他屏蔽电位。

2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风结构，其特征在于，与所述MEMS麦克风组件的敏感薄膜相对应位置的所述第二介质层中具有至少一个通孔，所述第二开口通过所述通孔暴露出所述MEMS麦克风组件的敏感薄膜或与所述敏感薄膜相对应的固定电极，所述固定电极包括在所述第一导电结构层或第二导电结构层中。

3.根据权利要求2所述的MEMS麦克风结构，其特征在于，所述通孔的高度小于所述第二介质层的厚度。

4.根据权利要求2或3所述的MEMS麦克风结构，其特征在于，与所述敏感薄膜或固定电极对应位置的所述第二介质层中具有第三导电结构，所述通孔贯穿所述第二介质层和所述第三导电结构。

5.根据权利要求4所述的MEMS麦克风结构，其特征在于，所述第三导电结构连接地电位或通过低阻抗接地或其他屏蔽电位。

6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风结构，其特征在于，所述第二介质层上表面还包括压焊板片，所述第一衬底包括第三开口，所述第三开口暴露所述压焊板片。

7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风结构，其特征在于，所述MEMS麦克风组件还包括用于防止所述敏感薄膜和与所述敏感薄膜相对应的固定电极粘连的挡板。

8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风结构，其特征在于，所述第一衬底为导体或半导体；所述第二衬底为半导体。

9.一种MEMS麦克风结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上形成第一介质层和第一导电结构层，所述第一导电结构层包括MEMS麦克风组件、第一导电粘合结构、第一衬底导电结构，其中，所述MEMS麦克风组件包括敏感薄膜；所述第一导电粘合结构的上表面为第一粘合面；所述第一衬底导电结构贯穿所述第一介质层与所述第一衬底电连接；

提供第二衬底，在第二衬底中包含有信号处理电路元素；

在所述第二衬底上形成第二介质层和第二导电结构层，所述第二导电结构层包括和第二衬底共同形成信号处理电路的导电结构、第二导电粘合结构和第二衬底导电结构；所述第二导电粘合结构的上表面为第二粘合面；所述第二衬底导电结构贯穿所述第二介质层与所述第一衬底电连接；

将所述第一导电结构层和第二导电结构层通过所述第一导电粘合结构和所述第二导电粘合结构面对面贴合；

在所述第一衬底中形成第一开口，所述第一开口与所述MEMS麦克风组件的敏感薄膜相对应；在所述第二衬底和第二介质层中形成第二开口，所述第二开口与所述MEMS麦克风组件的敏感薄膜相对应。

10.根据权利要求9所述的MEMS麦克风结构的制作方法，其特征在于，将所述第一导电结构层和第二导电结构层通过所述第一导电粘合结构和所述第二导电粘合结构面对面贴合步骤前还包括：

在所述第二介质层中形成至少一个孔洞；

在所述第二衬底和第二介质层中形成第二开口步骤为：

在所述第二衬底和部分第二介质层中形成第二开口，使所述孔洞形成通孔，所述第二开口通过所述通孔暴露出所述MEMS麦克风组件的敏感薄膜或与所述敏感薄膜相对应的固定电极。