[发明专利]显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210141511.6 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102683424A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 袁广才;李禹奉 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法。该薄膜晶体管包括栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层，有源层为氧化物半导体，栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。本发明提供的显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管中的栅极绝缘层通过退火工艺、或分层结构结合退火工艺、或分层结构可最大程度的减少栅极绝缘层中含氢的基团，可有效避免含氢基团对氧化物半导体的影响，最大程度地提高整个TFT器件的稳定性，提高最终产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 阵列 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体，所述栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。
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