[发明专利]显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体，所述栅极绝缘层包括至少一层无机绝缘薄膜。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层为一层，为第一栅极绝缘层。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜或氧化钛薄膜。

4.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为经过退火工艺处理的绝缘层。

5.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为50nm～500nm。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为100nm～300nm。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层为两层，包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层贴近栅极，所述第二栅极绝缘层贴近所述有源层，其中，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层两者中至少一层为无机绝缘薄膜。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层均为无机绝缘薄膜。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为氮化硅薄膜或氮氧化硅薄膜。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层为氧化硅薄膜、三氧化二钇薄膜或氮氧化硅薄膜。

11.如权利要求7-10任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为经过退火工艺处理的绝缘层。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层为经过退火工艺处理的绝缘层。

13.如权利要求7-10任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为50nm-600nm。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为100nm-300nm。

15.如权利要求7-10任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层的厚度为50nm-650nm。

16.如权利要求15所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层的厚度为100nm-200nm。

17.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层为三层，包括第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第三栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层贴近栅极，所述第三绝缘层贴近有源层，所述第二栅极绝缘层位于第一栅极绝缘层和第三栅极绝缘层中间，其中，所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述第三栅极绝缘层三者中至少一层为无机绝缘薄膜。

18.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述第三栅极绝缘层均为无机绝缘薄膜。

19.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一栅极绝缘层为氮化硅薄膜或氮氧化硅薄膜。

20.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第二栅极绝缘层为氮氧化硅薄膜。

21.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第三绝缘绝缘层为氧化硅薄膜、氧化铝薄膜或氧化钛薄膜。

22.如权利要求17-21任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为50nm-600nm。

23.如权利要求22所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为100nm-200nm。

24.如权利要求17-21任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层的厚度为50nm-650nm。

25.如权利要求24所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层的厚度为100nm-200nm。