[发明专利]形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法有效
| 申请号： | 201210132762.8 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102760661A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 郑淑真;李钟喆;金润洙;柳次英;姜相列 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氧化物 方法 半导体器件 制法 | ||
【主权项】：
形成氧化物层的方法，所述方法包括：在基底表面上形成反应‑抑制官能团的层；在所述反应‑抑制官能团的层上形成特定材料的前体的层；和氧化所述特定材料的前体的层以获得所述特定材料的氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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