[发明专利]形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法

权利要求书

1.形成氧化物层的方法，所述方法包括：

在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；

在所述反应-抑制官能团的层上形成特定材料的前体的层；和

氧化所述特定材料的前体的层以获得所述特定材料的氧化物层。

2.权利要求1的方法，其中形成所述反应-抑制官能团的层包括：

将包括包含所述反应-抑制官能团的有机化合物的反应气体提供至所述基底；和

使所述反应气体化学吸附在所述基底的表面上。

3.权利要求2的方法，其中所述包含所述反应-抑制官能团的有机化合物为包含羟基的有机化合物。

4.权利要求2的方法，其中形成于所述基底表面上的所述反应-抑制官能团包括具有1～4个碳原子的烷氧基、具有6～10个碳原子的芳氧基、具有1～5个碳原子的酯基、或者具有7～10个碳原子的芳基酯基。

5.权利要求1的方法，其中在形成所述反应-抑制官能团的层中，

氧自由基结合至构成所述基底表面的中心金属，和

在所述中心金属和所述氧自由基之间的第三结合能弱于在硅和所述氧自由基之间的第一结合能和在铝和所述氧自由基之间的第二结合能的任一个。

6.权利要求1的方法，进一步包括，在形成所述反应-抑制官能团的层之前，在所述基底表面上形成反应活化成分的层。

7.权利要求6的方法，其中在所述反应活化成分和所述基底之间的结合强度弱于在所述反应活化成分和周期表第3周期中的任意金属之间的结合强度，并且也弱于在所述反应活化成分和所述第3周期中的任意半导体之间的结合强度。

8.形成氧化物层的方法，所述方法包括：

在基底表面上形成反应活化成分的层；

在所述反应活化成分的层上形成第一材料的第一氧化物层；和

在所述第一氧化物层上形成第二材料的第二氧化物层，

其中所述第一材料包括第一金属或第一半导体，

形成所述第一氧化物层包括形成所述第一材料的前体的层和氧化所述第一材料的前体的层，和

形成所述第二氧化物层包括在所述第一氧化物层上形成反应-抑制官能团的层、在所述反应-抑制官能团的层上形成所述第二材料的前体的层、和氧化所述第二材料的前体的层。

9.权利要求8的方法，其中所述第二材料包括第二金属或第二半导体。

10.权利要求9的方法，其中所述第二金属为在化学元素周期表第3周期中的任意金属。

11.权利要求9的方法，其中所述第二金属为铝(Al)。

12.权利要求9的方法，其中所述第二半导体包括硅。

13.权利要求9的方法，其中所述第一金属为如下的至少一种：镧系金属或化学元素周期表第4～6周期中2族～5族金属。

14.权利要求9的方法，其中通过氧化所述第二材料的前体的层获得的表面具有氧自由基，和

形成所述第一氧化物层和形成所述第二氧化物层交替地重复进行。

15.权利要求14的方法，其中在所述第一氧化物层的形成之间的形成所述第二氧化物层进行仅一次。

16.权利要求8的方法，其中所述反应-抑制官能团附着于其的所述基底的表面包括具有20或更大的纵横比的特征物。

17.权利要求8的方法，其中所述第二氧化物层作为单层形成。

18.形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在电极上形成反应-抑制官能团；

在所述反应-抑制官能团上形成第一材料的前体；和

氧化所述第一材料的前体以获得所述第一材料的氧化物层。

19.权利要求18的方法，进一步包括形成在所述第一材料的氧化物层上面的另外的电极。

20.权利要求18的方法，其进一步包括在所述第一材料的氧化物层上形成第二材料的另外氧化物层。