[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该晶体管至少包括：集电极、半导体衬底、漂移区、两个体区、两个发射区、栅区域、隔离结构、绝缘埋层、发射极；其中，各该体区分别位于各该发射区与漂移区之间，栅区域位于各该体区及其之间的沟道之上并与各该发射区接触，隔离结构覆盖于栅区域表面以及部分各该发射区和各该体区的上表面，绝缘埋层位于体区与漂移区之间但并未贯穿整个漂移区，发射极覆盖于所述隔离结构及绝缘埋层表面以使各该发射区和各该体区实现电连接。本发明借助注氧隔离技术提供的绝缘栅双极晶体管，其正向压降大幅降低，具有更小的通态损耗，更好地改善了电导调制特性，使本发明成为电力电子系统应用中非常有吸引力的器件。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：1)提供一重掺杂第一导电类型半导体衬底，在所述半导体衬底上形成轻掺杂第二导电类型的外延层；2)依次形成位于所述外延层之上的栅区域和隔离结构、位于所述外延层内的发射区和体区、及位于所述体区之下的绝缘埋层；或者依次形成后续制备的体区之下的绝缘埋层、位于所述外延层之上的栅区域和隔离结构、及位于所述外延层内的发射区和体区；3)制备发射极，使其覆盖于所述隔离结构表面且同时与各该发射区和各该体区接触，以使位于所述漂移区上方两侧的各该发射区和各该体区电连接；4)在所述半导体衬底下制备集电极。