[发明专利]I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法有效
| 申请号： | 201210126710.X | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102646756A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 徐东;徐永;任昌义 | 申请（专利权）人： | 深圳市科聚新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池技术领域，提供一种I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其包括如下步骤：配制正硅酸烷基酯的酸催化溶液；将所述正硅酸烷基酯的酸催化溶液放置0.5～6h，然后加入NH4OH溶液，获得硅溶胶；在异丙醇气氛中将硅溶胶涂覆在介质上；将上述涂敷硅溶胶后的介质继续在异丙醇气氛中老化5～75min，然后浸泡在异丙醇溶液中老化，获得老化的凝胶薄膜；将老化的凝胶薄膜升温干燥，升温速率为10～180℃/s，升温至150～500℃后保持10～75min，获得所述I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层。上述方法简单，适合批量生产，其制备的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层能够有效提高太阳能电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | iii iv 化合物 太阳能电池 二氧化硅 阻隔 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种I‑III‑IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：配制正硅酸烷基酯的酸催化溶液，所述正硅酸烷基酯的酸催化溶液包含摩尔比为1∶(1～5)∶(0.5～3)∶(0.001～0.1)的正硅酸烷基酯、异丙醇、H2O和HCl；将所述正硅酸烷基酯的酸催化溶液放置0.5～6h，然后加入NH4OH溶液，获得硅溶胶，其中，所述硅溶胶中正硅酸烷基酯、异丙醇、H2O和HCl的摩尔比为1∶(3～9)∶(1～6)∶(0.001～0.1)，所述NH4OH与HCl的摩尔比为1∶1～4∶1；在异丙醇气氛中将所述硅溶胶涂覆在介质上；将上述涂敷硅溶胶后的介质继续在异丙醇气氛中老化5～75min，然后浸泡在异丙醇溶液中老化，获得老化的凝胶薄膜；将所述老化的凝胶薄膜升温干燥，升温速率为10～180℃/s，升温至150～500℃后保持10～75min，获得所述I‑III‑IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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