[发明专利]I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法

权利要求书

1.一种I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

配制正硅酸烷基酯的酸催化溶液，所述正硅酸烷基酯的酸催化溶液包含摩尔比为1∶(1～5)∶(0.5～3)∶(0.001～0.1)的正硅酸烷基酯、异丙醇、H₂O和HCl；

将所述正硅酸烷基酯的酸催化溶液放置0.5～6h，然后加入NH₄OH溶液，获得硅溶胶，其中，所述硅溶胶中正硅酸烷基酯、异丙醇、H₂O和HCl的摩尔比为1∶(3～9)∶(1～6)∶(0.001～0.1)，所述NH₄OH与HCl的摩尔比为1∶1～4∶1；

在异丙醇气氛中将所述硅溶胶涂覆在介质上；

将上述涂敷硅溶胶后的介质继续在异丙醇气氛中老化5～75min，然后浸泡在异丙醇溶液中老化，获得老化的凝胶薄膜；

将所述老化的凝胶薄膜升温干燥，升温速率为10～180℃/s，升温至150～500℃后保持10～75min，获得所述I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层。

2.如权利要求1所述的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其特征在于，所述正硅酸烷基酯为正硅酸甲酯和/或正硅酸乙酯。

3.如权利要求1所述的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其特征在于，所述NH₄OH与HCl的摩尔比为1.8～2.2。

4.如权利要求1所述的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，所述浸泡在异丙醇溶液中老化的时间为1～3天。

5.如权利要求1所述的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其特征在于，所述老化的凝胶薄膜升温干燥是在氮气或者惰性气体气氛下进行。

6.如权利要求1所述的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其特征在于，还包括对所述I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层进行退火处理的步骤。

7.如权利要求6所述的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其特征在于，所述退火处理的加热温度为250～800℃，时间为10min～3h。

8.如权利要求6所述的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其特征在于，所述退火处理的时间为10min～1h。

9.如权利要求5所述的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其特征在于，所述退火是在氮气或惰性气体与氢气的混合气体气氛下进行，其中，所述氮气或惰性气体与氢气的体积比为4∶1～49∶1。

10.如权利要求1所述的I-III-IV族化合物太阳能电池用二氧化硅阻隔层的制备方法，其特征在于，所述涂覆是采用浸渍提拉、旋涂、丝网印刷和刮涂中的至少一种方法完成。