[发明专利]半导体晶圆和半导体器件有效
| 申请号： | 201210125799.8 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102637788A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 袁述 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 香港新界沙田香港科学*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体晶圆和半导体器件。本发明实施例特别适合用于基板替换应用，例如在制作垂直结构LED情况下。一种半导体晶圆，包括：一个或多个缓冲层，多个抛光触止块形成在一个或多个缓冲层里；在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；被增加到一个或多个外延层的一个或多个金属层；以及被粘贴或键合或电镀到一个或多个金属层的第二基板。一种半导体器件，包括：在晶圆上的多个抛光触止块；一个或多个缓冲层，形成在所述多个抛光触止块上；在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；在一个或多个外延层上的一个或多个金属层；和被粘贴或键合或电镀到一个或多个金属层的第二基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆，包括：一个或多个缓冲层；多个抛光触止块形成在一个或多个缓冲层里；在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；被增加到一个或多个外延层的一个或多个金属层；以及被粘贴或键合或电镀到一个或多个金属层的第二基板。
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