[发明专利]闪存的存储单元的形成方法

摘要

一种闪存的存储单元的形成方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层表面形成浮栅多晶硅层，在所述浮栅多晶硅层表面形成应力层；在形成应力层后，对所述应力层、浮栅多晶硅层、第一绝缘层和半导体衬底进行热退火；在热退火之后，去除所述应力层；在去除应力层后，在所述半导体衬底表面形成贯穿所述浮栅多晶硅层和第一绝缘层的源线层；去除部分浮栅多晶硅层，在所述源线层两侧的第一绝缘层表面形成浮栅层，且所述浮栅层与源线层电隔离。所述闪存的存储单元的形成方法能够使应力保留在浮栅层内，从而提高闪存的存储单元的沟道载流子迁移率，提高数据的保持力的同时，能够减小闪存的存储单元的尺寸。

主权项

一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层表面形成浮栅多晶硅层，在所述浮栅多晶硅层表面形成应力层，所述应力层的厚度为300～1200埃；在形成应力层后，对所述应力层、浮栅多晶硅层、第一绝缘层和半导体衬底进行热退火，所述热退火工艺使所述浮栅多晶硅层内的晶粒发生再结晶以适应力层，使应力层所施加的垂直方向上的压应力被留存在浮栅多晶硅层内；在热退火之后，去除所述应力层；在去除应力层后，在所述半导体衬底表面形成贯穿所述浮栅多晶硅层和第一绝缘层的源线层；去除部分浮栅多晶硅层，在所述源线层两侧的第一绝缘层表面形成浮栅层，且所述浮栅层与源线层电隔离。