[发明专利]闪存的存储单元的形成方法

权利要求书

1.一种闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层表面形成浮栅多晶硅层，在所述浮栅多晶硅层表面形成应力层，所述应力层的厚度为300～1200埃；

在形成应力层后，对所述应力层、浮栅多晶硅层、第一绝缘层和半导体衬底进行热退火，所述热退火工艺使所述浮栅多晶硅层内的晶粒发生再结晶以适应力层，使应力层所施加的垂直方向上的压应力被留存在浮栅多晶硅层内；

在热退火之后，去除所述应力层；

在去除应力层后，在所述半导体衬底表面形成贯穿所述浮栅多晶硅层和第一绝缘层的源线层；

去除部分浮栅多晶硅层，在所述源线层两侧的第一绝缘层表面形成浮栅层，且所述浮栅层与源线层电隔离。

2.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为氮化硅。

3.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述应力层的形成工艺为等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积或常压化学气相沉积工艺。

4.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述热退火的温度为900～1200℃，所述热退火的保护气体为氮气。

5.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氧化硅。

6.如权利要求1所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，在所述源线层和浮栅层两侧，以及第一绝缘层表面形成控制栅层，且所述源线层、浮栅层和控制栅层相互电隔离。

7.如权利要求6所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述源线层、浮栅层和控制栅层的材料为多晶硅。

8.如权利要求6所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述源线层、浮栅层和控制栅层的形成方法包括：

在去除应力层后，在所述浮栅多晶硅层表面形成氧化硅层，在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；

去除部分所述氮化硅层和氧化硅层直至暴露出浮栅多晶硅层为止，形成第一开口；

在所述第一开口内侧的侧壁形成第一侧墙，且所述第一侧墙顶部与所述氮化硅层齐平；

以所述第一侧墙为掩膜，去除所述第一开口底部的浮栅多晶硅层和第一绝缘层并暴露出半导体衬底，形成第二开口；

在所述第二开口内侧的侧壁形成第二侧墙；

在形成第二侧壁后，在所述第一开口和第二开口内填充满多晶硅，形成源线层；

以所述源线层和第一侧墙为掩膜，去除氮化硅层、氧化硅层和浮栅多晶硅层形成浮栅层。

9.如权利要求8所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，在所述浮栅层、第一侧墙、源线层和第一绝缘层表面形成第二绝缘层；在所述源线层和第一侧墙两侧的第二绝缘层表面形成控制栅层；以所述控制栅层为掩膜，去除第一绝缘层和第二绝缘层并暴露出半导体衬底和源线层顶部的表面。

10.如权利要求9所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙、第二侧墙和第二绝缘层的材料为氧化硅。

11.如权利要求9所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，在形成控制栅层之后，在所述控制栅层两侧的半导体衬底内进行离子注入形成漏区。

12.如权利要求11所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，所述漏区的形成方法包括：在形成控制栅层并去除第一绝缘层和第二绝缘层之后，在所述控制栅层两侧的半导体衬底内进行轻掺杂离子注入；在轻掺杂离子注入之后，在所述控制栅层两侧形成第三侧墙；在所述第三侧墙两侧的半导体衬底内进行重掺杂离子注入；在重掺杂离子注入后，去除第三侧墙。

13.如权利要求8所述闪存的存储单元的形成方法，其特征在于，在形成第二侧墙之后，形成源线层之前，以所述第二侧墙为掩膜对第二开口底部的半导体衬底进行离子注入形成源区。